Definicija: Donorske i akceptorske nečistoće uvode diskretne nivoe blizu rubova pojaseva i mijenjaju provodnost. Vezivanje je slabo (Rydberg‑like) i termički se jonizuju pri sobnoj temperaturi.

• Polje: poluprovodnici
• ID: P0021

Fosfor u Si stvara donorski nivo oko 45 meV ispod provodnog pojasa.

Phosphorus in Si creates donor states ~45 meV below the conduction band.

Izvori

• https://www.britannica.com/science/semiconductor/Impurities-and-impurity-levels
• https://en.wikipedia.org/wiki/Semiconductor_doping